Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe

Автор(и)

  • С.Н. Мустафаева Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ1143, Азербайджан
  • М.М. Асадов Институт химических проблем НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 29, г. Баку, AZ1143, Азербайджан
  • А.А. Исмайлов Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ1143, Азербайджан

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3479690

Ключові слова:

монокристаллы р-InSe и n-InSe, γ-облучение, перенос заряда, локализация, глубокие ловушки, плотность локализованных состояний, концентрация радиационных дефектов.

Анотація

Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·1017 см–3) и n-InSe (2,48·1017– 2,71·1018 cм–3).

Downloads

Опубліковано

2010-05-17

Як цитувати

(1)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, and А.А. Исмайлов, Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe, Low Temp. Phys. 36, 805-808, (2010) [Fiz. Nizk. Temp. 36, 805-808, (2010)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3479690.

Номер

Том 36 № 7 (2010)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають