Комплексная проницаемость зернистой текстурированной YBa2Cu3O7-d сверхпроводящей керамики

Автор(и)

  • Ф.О. Алексеев Донецкий физико-технический институт НАН Украины им. А.А. Галкина ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • М.В. Залуцкий Донецкий физико-технический институт НАН Украины им. А.А. Галкина ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3075939

Ключові слова:

комплексная проницаемость, зернистая текстурированная керамика, поглощение переменного магнитного поля, трехпиковая структура поглощения.

Анотація

Проведены измерения комплексной проницаемости зернистой текстурированной керамики YBa2Cu3O7-d в зависимости от температуры в слабом переменном магнитном поле в присутствии постоянного магнитного поля. Исследуемая керамика состояла из макрозерен размером ~3 мм, которые образовались в процессе текстуризации, с-ось в макрозернах распределялась хаотическим образом. В мнимой части комплексной проницаемости в слабом постоянном магнитном поле ~0,1 Tл обнаружено появление трехпиковой структуры поглощения энергии переменного магнитного поля. Проанализировано поведение данной структуры поглощения в зависимости от величины и ориентации постоянного магнитного поля, частоты и амплитуды переменного магнитного поля. Показано, что трехпиковая структура поглощения в мнимой части комплексной проницаемости обусловлена влиянием двух механизмов диссипации энергии переменного магнитного поля: объемной диссипацией энергии, связанной с пиннингом, и поверхностной диссипацией энергии, связанной с поверхностным барьером типа Бина-Ливингстона. Обнаружено, что с ростом постоянного магнитного поля данная трехпиковая структура поглощения трансформируется в однопиковую, хорошо описываемую в линейной модели термоактивационного течения магнитного потока.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2008-12-26

Як цитувати

(1)
Алексеев, Ф.; Залуцкий, М. Комплексная проницаемость зернистой текстурированной YBa2Cu3O7-d сверхпроводящей керамики. Fiz. Nizk. Temp. 2008, 35, 150-158.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна