Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Т. Стори Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • В. Кнофф Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • Р. Якела Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • П.Н. Литвин Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, пр. Науки, 45, г. Киев, 03028, Украина
  • Е.И. Слинько Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Лазоренко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • А.И. Дмитриев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • П.Е. Буторин Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.А. Карпина Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • M.В. Радченко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Сичковский Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • П. Алешкевич Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3064911

Ключові слова:

магниторазведенные ферромагнитные полупроводники, спиновая электроника, магнитная восприимчивость, удельное сопротивление, аномальный эффект Холла.

Анотація

Исследованы химический и фазовый состав, магнитная восприимчивость, SIMS, данные магнитной силовой микроскопии и нейтронной дифракции монокристаллов Ge1–x–ySnxMnyTe, InSe и ZnO в широком диапазоне температур и магнитных полей. Для Ge1–x–ySnxMnyTe установлено существование ферромагнитного (ФМ) упорядочения с температурой Кюри ТС ~ 50 К, вызванное непрямым обменным взаимодействием между ионами Mn через вырожденный газ дырок. Показано, что ФМ области кристалла при Т < 50 К образуют фазу спинового стекла. В InSe наблюдались петли гистерезиса магнитного момента М(Н) вплоть до 350 К. Они свидетельствуют о существовании ферромагнитного упорядочения, связанного, по-видимому, с ФМ кластерами, в которых предполагается суперобмен ионов Mn через анионы (Se), и c непрямым взаимодействием через 2D-улектронный газ. Обнаружено удвоение периода магнитной подрешетки включений второй фазы α-MnSe при Т < 70 К, а размещение ее в слоистой структуре матрицы InSe имеет регулярнûй характер, образуя самоорганизованную сверхрешетку ФМ/АФМ. Температурная зависимость М в ZnO подчиняется закону Кюри. При превûшении предела растворимости Co в ZnO наблюдались петли гистерезиса как следствие проявления второй ферромагнитной фазы. Для образцов ZnO, а также в некоторых образцах ZnO при содержании Co в пределах растворимости имело место АФМ взаимодействие.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2008-12-05

Як цитувати

(1)
Лашкарев, Г.; Стори, Т.; Кнофф, В.; Якела, Р.; Литвин, П.; Слинько, Е.; Лазоренко, В.; Дмитриев, А.; Буторин, П.; Карпина, В.; Радченко M.; Сичковский, В.; Алешкевич, П. Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI. Fiz. Nizk. Temp. 2008, 35, 81-91.

Номер

Том 35 № 1 (2009)

Розділ

Статті