Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле

Автор(и)

  • И.В. Рожанский ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ул. Политехническая, 26, г. Санкт-Петербург, 194021, Россия
  • Н.С. Аверкиев ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ул. Политехническая, 26, г. Санкт-Петербург, 194021, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3064872

Ключові слова:

спин-зависимое туннелирование, спин-орбитальное взаимодействие, квантовые ямы.

Анотація

Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля.

Downloads

Опубліковано

2008-12-05

Як цитувати

(1)
И.В. Рожанский and Н.С. Аверкиев, Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле, Low Temp. Phys. 35, (2008) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 21-28, (2008)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3064872.

Номер

Том 35 № 1 (2009)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають