Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb2ZnI4

Автор(и)

  • В.К. Милославский Харьковский национальный университет, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • О.Н. Юнакова Харьковский национальный университет, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина
  • Е.Н. Коваленко Харьковский национальный университет радиоэлектроники, пр. Ленина, 14, г. Харьков, 61166, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2920181

Ключові слова:

Rb2ZnI4, тонкие пленки, спектры поглощения, экситоны, сегнетоэластики.

Анотація

Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb2ZnI4 в области спектра 3-6 эВ и температур 90-290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI42- структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз.

Downloads

Опубліковано

2008-04-18

Як цитувати

(1)
Милославский, В.; Юнакова, О.; Коваленко, Е. Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb2ZnI4. Fiz. Nizk. Temp. 2008, 34, 599-604.

Номер

Том 34 № 6 (2008)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.