О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия

Автор(и)

  • А.С. Бакай Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
  • А.Н. Тимошевский Институт магнетизма НАН и МОН Украины, бульв. Вернадского, 36-б, г. Киев, 03142, Украина
  • С.А. Калькута Институт магнетизма НАН и МОН Украины, бульв. Вернадского, 36-б, г. Киев, 03142, Украина
  • А. Месланг Forschungszentrum Karlsruhe, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen 76344, Germany
  • В.П. Владимиров Forschungszentrum Karlsruhe, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen 76344, Germany

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2796159

Ключові слова:

локальная плотность состояний, метод присоединенных плоских волн, вакансия, аморфная пленка.

Анотація

Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электронных состояний бериллия с подрешеткой вакансий на уровне Ферми примерно в два раза больше, чем у идеального кристалла. При этом зарядовая плотность электронов проводимости на уровне Ферми имеет глубокий минимум в области вакансии и претерпевает существенные изменения в межузельных полостях вокруг вакансии. Оценка показывает, что температура сверхпроводящего перехода бериллия с вакансиями приблизительно в 150 раз выше, чем в идеальном кристалле.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-08-27

Як цитувати

(1)
Бакай, А.; Тимошевский, А.; Калькута, С.; Месланг, А.; Владимиров, В. О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 1170-1173.

Номер

Том 33 № 10 (2007)

Розділ

Листи до редакції

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають