О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.2746837Ключові слова:
псевдощелевое состояние, квантовая диффузия, концентрация допирования, фазовая диаграмма состояний.Анотація
Обсуждается предположение о том, что в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных (НД) купратных ВТСП при T≤T* (psh) переход плоскости CuO2 при понижении температуры к металлическому поведению обусловлен квантовой диффузией, предсказанной для "дефектонов" в 1969 г. А.Ф. Андреевым и И.М. Лифшицем. Показано, что особенности псевдощелевого состояния определяются только свойствами CuO2-плоскости и концентрацией допирования psh. Понижение температуры T≤TAL(psh) приводит к существованию на общей магнитной фазовой диаграмме состояний универсальной линии TAL(psh)≤ 815psh перехода плоскости CuO2 в состояние 2D вихревого металла с подвижными носителями заряда - 2D вихрями, совместимыми с антиферромагнетизмом плоскости CuO2. Построена фазовая диаграмма состояний НД монокристалла YBaCu3Oy с линией TAL(psh) ≤ T* (psh), которая согласуется с известными экспериментальными данными для других НД купратных ВТСП.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2007-07-02
Як цитувати
(1)
Сергеева, Г.; Сорока, А. О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 864-869.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна