Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9)

Новые электронные материалы и системы

Автор(и)

  • О.Л. Хейфец Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • А.Н. Бабушкин Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • О.А. Шабашова Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
  • Н.В. Мельникова Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2719968

Ключові слова:

твердые электролиты, полупроводники, халькогениды, криоэлектроника, сегнетоэлектрики.

Анотація

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (x = 0,1–0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектри ческой проницаемости исследованных материалов.

Downloads

Опубліковано

2007-02-05

Як цитувати

(1)
О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, and Н.В. Мельникова, Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 374-377, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2719968.

Номер

Том 33 № 2-3 (2007)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.