Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSe2

Автор(и)

  • Н.З. Гасанов Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ 1143, Азербайджан
  • Э.М. Керимова Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ 1143, Азербайджан
  • А.И. Гасанов Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ 1143, Азербайджан
  • Ю.Г. Асадов Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, г. Баку, AZ 1143, Азербайджан

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2409639

Ключові слова:

экситон, полупроводник, твердый раствор.

Анотація

Исследована система полупроводниковых твердых растворов TlGaSе2-TlFeSe2. Рентгеноструктурный анализ позволил установить параметры кристаллической решетки соединений данной системы. В температурном интервале 10-120 К проведены экспериментальные исследования спектров поглощения монокристаллов твердых растворов TlGa1-xFexSе2 (x = 0; 0,005; 0,01), определены энергетические положения и коэффициенты температурного сдвига экситонов на краю и в глубине оптического поглощения.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2006-11-23

Як цитувати

(1)
Гасанов, Н.; Керимова, Э.; Гасанов, А.; Асадов, Ю. Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSe2. Fiz. Nizk. Temp. 2006, 33, 115-118.

Номер

Том 33 № 1 (2007)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають