Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
Электpонные свойства металлов и сплавов
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.2409638Ключові слова:
тонкие пленки, висмут, квантовые поправки к проводимости, время спин-орбитального взаимодействия.Анотація
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах (1,5-77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия tso, в результате чего меняется соотношение между tso, и времени фазовой релаксации tj. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2006-11-23
Як цитувати
(1)
Комник, Ю.; Андриевский, В.; Беркутов, И. Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 2006, 33, 105-114.
Номер
Розділ
Статті