Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe

Анотація

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дыро чном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68·10¹¹cм^-2, и их подвижностью 4,68·10⁴см²·^-1В·с^-1 . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК до 10 К в магнитных полях до 15 Тл. Магнитополевые зависимости сопротивления демонстрируют осцилляции Шубникова-де Гааза и ступеньки квантового эффекта Холла. В области очень слабых магнитных полей (B < 0,1Тл) выявлен эффект слабой локализации дырок, который определяет отрицательное магнитосопротивление и рост сопротивления с понижением температуры (при T < 2 К). Проявление эффекта взаимодействия обнаружено и проанализировано в широкой области температур и магнитных полей. При повышении температуры происходит переход от диффузионного режима проявления квантовой поправки взаимодействия к промежуточному и далее к баллистическому режиму. Во всех областях поведение квантовой поправки взаимодействия хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.