Экситонный спектр поглощения и фазовые переходы в тонких пленках сегнетоэластиков Сs2CdI4 и Rb2CdI4

Анотація

Исследован спектр поглощения тонких пленок сегнетоэластиков M₂CdI₄ (M: Cs, Rb) со структурой типа b-K₂SO₄ в интервале энергий 3-6 эВ и температур 90-420 К. Установлено, что оба соединения относятся к прямозонным диэлектрикам, и низкочастотные электронные и экситонные возбуждения локализованы в CdI₄^2- структурных элементах кристаллической решетки соединений. По температурным зависимостям спектрального положения и полуширины низкочастотных экситонных полос в Rb₂CdI₄ обнаружен фазовый переход при 380 К (парафаза ® несоразмерная), фазовый переход I рода при 320 К (несоразмерная ® первая сегнетоэластическая) и II рода при 210 К (первая ® вторая сегнетоэластические фазы). Подобные, но менее выраженные, фазовые переходы найдены в Cs₂CdI₄ при более низких температурах. В сегнетоэластических фазах исследованных соединений появляется дополнительное уширение полос, связанное, по-видимому, с рассеянием экситонов на флуктуации деформации в области доменных границ.