О фазовой диаграмме развития неустойчивости массивной заряженной поверхности жидкого гелия

Автор(и)

  • В. Шикин Институт физики твердого тела РАН, п. Черноголовка Московской обл., 142432, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1542501

Ключові слова:

PACS: 67.40.Jg

Анотація

Существующая трактовка развития неустойчивости массивной заряженной поверхности гелия нуждается в определенной коррекции, сближающей данное явление с известными процессами спинодального и бинодального распадов в теории фазовых превращений первого рода. Обсуждаются особенности развития неустойчивости заряженной поверхности гелия, обладающие признаками спинодального (бинодального) распадов, и построена качественная фазовая диаграмма для таких переходов на плоскости с координатами поверхностная плотность электронов -электрическое поле над заряженной 2D электронами плоскостью.

Downloads

Опубліковано

2003-04-08

Як цитувати

(1)
В. Шикин, О фазовой диаграмме развития неустойчивости массивной заряженной поверхности жидкого гелия, Low Temp. Phys. 29, (2003) [Fiz. Nizk. Temp. 29, 514-518, (2003)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1542501.

Номер

Том 29 № 5 (2003)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.