Упруго-деформационные механизмы влияния температуры, магнитного поля и давления на резистивные и магнитные свойства магнитных полупроводников

Анотація

Проведен анализ результатов исследований изменения удельного сопротивления объемного поликристаллического образца La_0,56Ca_0,24Mn_1,2O₃ под влиянием температуры (Т), давления (Р) и магнитного поля (Н) и изменения магнитострикции в монокристаллическом LaMnO₃ в зависимости от Т и Н. Установлено, что пики магнито-, баро- и баромагниторезистивного эффектов имеют одинаковую температуру, которая не зависит от магнитного поля и давления и соответствует температуре T_ms фазового перехода металл-полупроводник в отсутствие магнитного поля и давления. Обнаружены "охлаждающий" и "нагревающий" эффекты давления и магнитного поля и эквивалентное соответствие влияния Т, Р и Н на удельное сопротивление поликристаллического образца и Т и Н на магнитострикцию монокристалла LaMnO₃. Показана линейность смещения пиков T_ms(P) и T_ms(Н) в резистивных свойствах La_0,56Ca_0,24Mn_1,2O₃, а также H_g(T) в магнитных свойствах на примере изменения гистерезиса магнитострикции в монокристалле LaMnO₃. Выявлена и объяснена роль закономерностей упруго-деформирующего механизма действия Т, Р и Н на магнитные, резистивные свойства и фазовые состояния. Установлена знакопеременность влияния Т, Р и Н и ее роль в изменении резистивных и магнитных свойств (магнитных фазовых переходов). Обоснована связь структурных, упругих, резистивных и магнитных свойств в магнитных полупроводниках.