Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков

Анотація

Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков q, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности x(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры T_c практически не зависит от q и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока j_c(T), остается ток распаривания j₀ (T) µ (1 - T/T_c)^3/2. Вблизи T_c, когда x(T) > d, происходит переход от зависимости j_cT) ~ (1 - T/T_c)^3/2 к j_c(T) ~ (1-T/T_c)². Такое поведение j_c(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O_7-d