ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия

Автор(и)

  • Л. А. Боярский Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирский государственный университет, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 3
  • С. П. Габуда Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирский государственный университет, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 3
  • С. Г. Козлова Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирский государственный университет, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 3

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593879

Ключові слова:

Анотація

Методом магнитного резонанса на ядрах 51V определены константы магнитного экранирования и квадрупольного взаимодействия ядер 51V в низкотемпературной (непроводящей) фазе диоксида ванадия. Показано, что переход металл-диэлектрик в VO2 сопровождается изменением знака констант магнитного экранирования и электронным переходом 2V4+®V3++V5+, сопровождаемым зарядовым упорядочением в катионной подрешетке.

Downloads

Опубліковано

2000-02-10

Як цитувати

(1)
Л. А. Боярский, С. П. Габуда, and С. Г. Козлова, ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 197-203, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593879.

Номер

Том 26 № 2 (2000)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.