Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe3

Автор(и)

  • А. А. Мамалуй Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21
  • Т. Н. Шелест Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21
  • Х. Б. Чашка Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.593877

Ключові слова:

Анотація

Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe3 в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe3 при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%).

Downloads

Опубліковано

2000-02-10

Як цитувати

(1)
А. А. Мамалуй, Т. Н. Шелест, and Х. Б. Чашка, Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe3, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 176-180, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593877.

Номер

Том 26 № 2 (2000)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають