Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников. III. Экспериментальное изучение анизотропии полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d

Анотація

Изучена зависимость критических токов I_c текстурированных образцов ВТСП YBa₂Cu₃O_7-d (T = 77,3 К) от напряженности предварительно приложенного внешнего магнитного поля H_ext при различных углах между направлением поля и исследуемым образцом. На основе полученной угловой зависимости I_c(H) с помощью развитой в работе методики определены значения нижних критических полей H_c1 ВТСП YBa₂Cu₃O_7-d в направлении главной оси орторомбической решетки H_c1^ab = 89 Э и в перпендикуляром направлении H_c^1c = 383 Э; отношение эффективных масс электрона m^c/m^ab=18,5.