Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле

Автор(и)

  • К. Р. Аллахвердиев Deрartment of Рhysics, TUBITAK Marmara Research Centre, Gebze, Kocaeli, Turkey
  • Н. Д. Ахмед-заде Институт физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азербайджана, Азербайджан, 370143, г. Баку, пр. Г. Джавида, 33
  • Т. Г. Мамедов Институт физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азербайджана, Азербайджан, 370143, г. Баку, пр. Г. Джавида, 33
  • Т. С. Мамедов Институт физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азербайджана, Азербайджан, 370143, г. Баку, пр. Г. Джавида, 33
  • Мир-Гасан Ю. Сеидов Институт физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азербайджана, Азербайджан, 370143, г. Баку, пр. Г. Джавида, 33

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593863

Ключові слова:

Анотація

Исследовано влияние ориентирующего электрического поля на аномалии температурной зависимости диэлектрической проницаемости e кристаллов TlInS2 и TlGaSe2, а также пироэлектрического тока i в TlInS2 вблизи фазовых переходов (ФП). В обоих кристаллах установлена идентичность трансформации профиля e(T) в точке ФП в несоизмеримую фазу под действием постоянного электрического поля, приложенного в направлении плоскости слоя. Обнаружено, что максимум e(T) в TlGaSe2 и i(T) в TlInS2 в точке ФП в соизмеримую полярную фазу смещается в определенном диапазоне ориентирующих электрических полей и знак температурных смещений зависит от величины внешнего электрического поля. Предложена интерпретация экспериментальных результатов.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-01-10

Як цитувати

(1)
Аллахвердиев, К. Р.; Ахмед-заде, Н. Д.; Мамедов, Т. Г.; Мамедов, Т. С.; Сеидов, М.-Г. Ю. Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 76-83.

Номер

Том 26 № 1 (2000)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають