Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-x-yCrxMnySe
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.593857Ключові слова:
Анотація
Представлены результаты исследований магнитной восприимчивости и электронного спинового резонанса (ЭСР) на ионах Cr3+, Mn2+ в ряде образцов полумагнитного полупроводника Hg1-x-yCrxMnySe с x=0,02 и 0,01£y£0,08. Экспериментальные результаты свидетельствуют, что наличие в этой системе ионов хрома и марганца, образующих две взаимодействующие подсистемы, приводит к тому, что структура спектра ЭСР и характер его смещения по магнитному полю с изменением температуры зависят от соотношения концентраций ионов хрома и марганца; наблюдаемый переход Hg1-x-yCrxMnySe в фазу спинового стекла не связан с искажением симметрии решетки кристалла. Установлены общие и отличительные свойства систем Hg1-xCrxSe и Hg1-x-yCrxMnySe.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2000-01-10
Як цитувати
(1)
Прозоровский, В. Д.; Решидова, И. Ю.; Пузыня, А. И.; Paranchich, Y. S. Влияние концентрации атомов Mn на физические явления в полумагнитном полупроводнике Hg1-X-yCrxMnySe. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 34-38.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм