Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe

Анотація

При нагреве в интервале 80-290К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(T) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Те) на зависимости a(T) в области 90-100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Те в интервалах 135-150 К и 200-215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра (Da/a»0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Те) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов - нестехиометрических вакансий, - обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.