К теории эффекта Джозефсона в диффузионном туннельном контакте
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593722Ключові слова:
Анотація
Теоретически исследованы особенности равновесного токового состояния туннельного джозефсоновского контакта диффузионных сверхпроводников (с длиной пробега l, малой по сравнению с длиной когерентности x0) в одномерной геометрии, когда растекание тока в берегах контакта отсутствует. Показано, что в этой ситуации понятие "слабой связи" со скачком фазы параметра порядка Ф-1 существует только при достаточно малой прозрачности барьера Г<<l/x0)<<1в противном случае наличие туннельного перехода практически не сказывается на распределении модуля и фазы параметра порядка. Установлено, что при протекании джозефсоновского тока в окрестности туннельного барьера возникают локализованные состояния электронных возбуждений, которые представляют собой континуальный аналог андреевских уровней в баллистическом контакте, причем глубина соответствующей "потенциальной ямы" существенно превышает расстояние андреевского уровня от границы непрерывного спектра при одинаковой прозрачности барьера. В отличие от баллистического контакта, где джозефсоновский ток полностью переносится локализованными возбуждениями, в диффузионном контакте вклад в ток вносит вся область спектра вблизи границы энергетической щели, где плотность состояний существенно отличается от ее невозмущенного значения. Вычислена поправка к току Джозефсона j(Ф) во втором порядке по прозрачности контакта, содержащая вторую гармонику скачка фазы Ф, и установлено, что в теории возмущений для диффузионного контакта истинным параметром разложения j(Ф) является не вероятность туннелирования Г, а существенно больший параметр W= (3x0 /4l)Г. Это облегчает условия экспериментального наблюдения высших гармоник j(Ф) в контактах с регулируемой прозрачностью барьера.
Downloads
Опубліковано
1999-03-10
Як цитувати
(1)
Е. В. Безуглый, Е. Н. Братусь, and В. П. Галайко, К теории эффекта Джозефсона в диффузионном туннельном контакте, Low Temp. Phys. 25, (1999) [Fiz. Nizk. Temp. 25, 230-239, (1999)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593722.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.