Свободные и автолокализованные экситоны в кpиокpисталлах инеpтных элементов: сосуществование и смешивание состояний
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593474Ключові слова:
Анотація
Проведен расчет спектров поглощения для криокристаллов инертных элементов с учетом однофононного рассеяния и многофононного взаимодействия свободных экситонов с локальными колебаниями решетки. Обсуждается возможность сосуществования свободных и автолокализованных экситонов в неравновесных состояниях выше дна экситонной зоны на основе сравнения энергии свободных экситонов с величинами затухания экситонов при однофононном рассеянии и при переходе в экситон-вибронные состояния. Показано, что при низких температурах только в криокристалле ксенона затухание свободных экситонов определяется в основном однофононным рассеянием по всей зоне. В криптоне и аргоне оба типа затухания дают сpавнимые вклады. В неоне вероятность перехода экситона в автолокализованные состояния так велика, что существование зонных возбуждений маловероятно.
Downloads
Опубліковано
1997-07-10
Як цитувати
(1)
И. Я. Фуголь and Е. И. Тарасова, Свободные и автолокализованные экситоны в кpиокpисталлах инеpтных элементов: сосуществование и смешивание состояний, Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 767-778, (1997)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593474.
Номер
Розділ
Фізичні властивості кpіокpисталів
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
