High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF2 at low temperature

Автор(и)

  • M.A. Terekhin Russian Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow 123182, Russia
  • N.Yu. Svechnikov Russian Research Centre "Kurchatov Institute", Moscow 123182, Russia
  • S. Tanaka Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki 444, Japan
  • S. Hirose Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki 444, Japan
  • M. Kamada Institute for Molecular Science, Myodaiji, Okazaki 444, Japan

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593409

Ключові слова:

Анотація

The effect of VUV undulator excitation intensity on the emission shape and decay time of BaF2 crystal at low temperature has been observed. The findings are explained in terms of quenching of Auger-free luminescence (cross luminescence) by self-trapped exciton via Forster mechanism energy transfer.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1997-04-10

Як цитувати

(1)
Terekhin, M.; Svechnikov, N.; Tanaka, S.; Hirose, S.; Kamada, M. High-Density Effects Due to Interaction of Self-Trapped Exciton With (Ba, 5p) Core Hole in BaF2 at Low Temperature. Fiz. Nizk. Temp. 1997, 23, 473-475.

Номер

Том 23 № 4 (1997)

Розділ

Листи до редакції

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають