Особенности электронных свойств delta-слоев в эпитаксиальном кремнии. III. Электрон-фононная релаксация

Электpонные свойства металлов и сплавов

Автор(и)

  • В. Ю. Каширин Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • Ю. Ф. Комник Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • А. С. Анопченко Физико-технический институт низких темпеpатуp им. Б. И. Веpкина НАН Укpаины, Укpаина, 310164, г. Хаpьков, пp. Ленина, 47
  • О. А. Миронов Институт радиофизики и электроники НАН Украины, Украина 310085, г. Харьков, ул. Акад. Проскуры 12
  • Ч. Дж. Эмелеус Department of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK.
  • Т. Э. Волл Department of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK.

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593462

Ключові слова:

Анотація

Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих delta - слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации tauep, полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью tauep ~ Tp, где p = 3,7+/-0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT - волновой вектор вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона).

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1997-04-10

Як цитувати

(1)
Каширин, В. Ю.; Комник, Ю. Ф.; Анопченко, А. С.; Миронов, О. А.; Эмелеус, Ч. Д.; Волл, Т. Э. Особенности электронных свойств delta-слоев в эпитаксиальном кремнии. III. Электрон-фононная релаксация: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 1997, 23, 413-419.

Номер

Том 23 № 4 (1997)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 > >>