Особенности электронных свойств delta-слоев в эпитаксиальном кремнии. III. Электрон-фононная релаксация
Электpонные свойства металлов и сплавов
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593462Ключові слова:
Анотація
Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих delta - слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электронов. Температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации tauep, полученная из эффекта электронного перегрева, описывается зависимостью tauep ~ Tp, где p = 3,7+/-0,3, что соответствует случаю qTl < 1 (qT - волновой вектор вектор теплового фонона; l - длина свободного пробега электрона).
Downloads
Опубліковано
1997-04-10
Як цитувати
(1)
В. Ю. Каширин, Ю. Ф. Комник, А. С. Анопченко, О. А. Миронов, Ч. Дж. Эмелеус, and Т. Э. Волл, Особенности электронных свойств delta-слоев в эпитаксиальном кремнии. III. Электрон-фононная релаксация: Электpонные свойства металлов и сплавов , Low Temp. Phys. 23, (1997) [Fiz. Nizk. Temp. 23, 413-419, (1997)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593462.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.