Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах

Автор(и)

  • С. Г. Гестрин

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

1993-04-10

Як цитувати

(1)
Гестрин, С. Г. Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах. Fiz. Nizk. Temp. 1993, 19, 424-428.

Номер

Том 19 № 4 (1993)

Розділ

Статті