Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл

Автор(и)

  • В. Я. АЛФЕЕВ
  • В. Н. МЕНЬШОВ
  • Л. Н. НЕУСТРОЕВ

Ключові слова:

Опубліковано

1991-01-10

Як цитувати

(1)
В. Я. АЛФЕЕВ, В. Н. МЕНЬШОВ, and Л. Н. НЕУСТРОЕВ, Фотоэлектрическое усиление в туннельной структуре вырожденный полупроводник - ВТСП - изоаятбр - металл, Low Temp. Phys. 17, (1991) [Fiz. Nizk. Temp. 17, 128-131, (1991)].

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.