Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2
Ключові слова:

Downloads
Опубліковано
1982-05-10
Як цитувати
(1)
Ефимов, В. Б.; Межов-Деглин, Л. П. Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2. Fiz. Nizk. Temp. 1982, 8, 466-476.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.