Low-temperature diffusion in energy and semiconductor materials: A brief review

Автор(и)

  • Vasileios Balaouras Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, Volos 38333, Greece
  • Ioannis Goulatis Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, Volos 38333, Greece
  • Alexander Chroneos Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, Volos 38333, Greece
    Department of Materials, Imperial College London, London SW7 2BP, United Kingdom
  • Yerassimos Panayiotatos Department of Mechanical Engineering, University of West Attica, Athens 12241, Greece

Ключові слова:

diffusion, doping, ionic transport

Анотація

Ключовим фізичним механізмом, важливим при розгляді енергетичних або напівпровідникових матеріалів, є дифузія. Висока дифузійність може обмежувати застосування напівпровідникових матеріалів у функціональних наноелектронних пристроях, тоді як вона є необхідною умовою для енергетичних матеріалів, що використовуються в акумуляторах та твердооксидних паливних елементах. Зазвичай, дифузія активується термічно та регулюється законом Ареніуса. Лише в кількох системах спостерігалися дуже високі коефіцієнти дифузії з низькими енергіями активації дифузії (менше ніж 0,1 еВ). Це, своєю чергою, обумовлює атомну дифузію навіть за низьких температур. Обговорено репрезентативні приклади таких систем та наслідки дифузії за низьких температур. Основна увага приділяється механізмам низькотемпературної дифузії для різних типів матеріалів (оксиди та напівпровідники), зокрема матеріали для різних застосувань, таких як паливні елементи, батареї, наноелектронні та надпровідні пристрої. Цей короткий огляд завершується майбутніми перспективами та розглядом останніх досягнень.

Downloads

Опубліковано

2026-02-25

Як цитувати

(1)
Vasileios Balaouras, Ioannis Goulatis, Alexander Chroneos, and Yerassimos Panayiotatos, Low-temperature diffusion in energy and semiconductor materials: A brief review , Low Temp. Phys. 52, (2026) [Fiz. Nyzk. Temp. 52, 409–417, (2026)].

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають