Impact of incomplete ionization on the critical electric field of p-n junction structures based on Si and GaA

Анотація

Розроблено аналітичну модель для оцінки критичного електричного поля в p-n переходах Si та GaAs з особливим акцентом на вплив неповної іонізації легуючої домішки. Розглянуто два сценарії: повна іонізація та неповна іонізація. Модель враховує температурну та легуючу іонізацію в широкому діапазоні легування та температурному інтервалі 50–400 К. Аналіз показує, що хоча неповна іонізація має незначний вплив при кімнатній температурі, її вплив стає все більш вираженим при нижчих температурах, особливо в сильно легованих переходах. Крім того, досліджується пікове електричне поле у збідненому шарі та порівнюється з традиційними аналітичними моделями, демонструючи підвищену точність та прогностичні можливості запропонованого підходу за різних теплових та легуючих умов.