The ordering of defects controlled by the symmetry of the CdI2 crystal lattice: Justification and experimental confirmation
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0042179Ключові слова:
low symmetry, donor-acceptor, trimmer, optical properties, luminescence, excitation spectra, density of electron statesАнотація
Низька симетрія кристалів шаруватої структури зумовлює чітке просторове розташування асоціатів точкових дефектів. Результатом такого процесу є генерація комплексів донор-акцептор-донорних тримерів. Ідеальним об’єктом для обґрунтування створення таких асоціатів є кристали, подібні до CdI2. Особливість кристалів AX2 (CdI2) зумовлює розташування локального мінімуму термодинамічних потенціалів у позиціях, які займають катіони кадмію. Розглянуто модель донорно-акцепторних дефектів, спричинених вищезгаданими нестехіометричними включеннями Cd. Вплив концентрації нестехіометричних включень Cd на електрооптичні та фотоелектричні властивості кристалів CdI2 досліджено експериментально та теоретично за допомогою віртуальної кристалічної моделі та особливостей енергетичної зони через різний хімічний зв’язок у різних напрямках
Посилання
Wide-Gap Layered Crystals and Their Physical Properties, A. B. Lyskovich, Vyshcha Shkola (Lviv, 1982).
A. Ruoqi, G. Xun, L. Jia, Y. Kangkang, C. Peng, Z. Zhengwei, D. Xidong, and D. Xiangfeng, ACS Nano 11, 3413 (2017). https://doi.org/10.1021/acsnano.7b01507
O. V. Galchynsky, V. V. Vistovskyy, N. V. Gloskovska, L. I. Yarytska, and T. M. Demkiv, Funct. Mater. 26, 228 (2019).https://doi.org/10.15407/fm26.02.228
C. Corey Hines, W. Matthew Reichert, S. T. Griffin, A. H. Bond, P. E. Snowwhite, and Robin D. Rogers, J. Mol. Struct. 796, 76 (2006). https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2006.03.098
D. I. Pavlov, A. A. Ryadun, D. G. Samsonenko, V. P. Fedin, and A. S. Potapov, Russ. Chem. Bull. 70, 857 (2021). https://doi.org/10.1007/s11172-021-3159-6
I. M. Bolesta, V. V. Vistovskyy, N. V. Gloskovska, and I. M. Rovetskij, Funct. Mater. 23, 382 (2016). https://doi.org/10.15407/fm23.03.382
M. Rudka, I. Matviishyn, B. Seredyuk, N. Tovstyuk, M. Karkulovska, and I. Kravchuk, 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2020, p. 268.https://doi.org/10.1109/ELNANO50318.2020.9088922/
M. M. Rudka, “Visnyk (official gazette) of lviv polytechnic national university.” Physical and Mathematical Sciences, 566, 97 (2006).
N. V. Stetsyk, V. G. Antonyuk, and M. M. Rudka, J. Nano-Electron. Phys. 6, 02001 (2014).
S. S. Novosad and B. M. Kalyvoshka, Phys. Solid State 51, 1072 (2009). https://doi.org/10.1134/S1063783409060080
M. I. Miah, J. Phys. Chem. B 113, 1652 (2009). https://doi.org/10.1021/jp807944y
E. V. Baranova, A. I. Kalugin, and V. V. Sobolev, J. Synch. Investig. 2, 772 (2008). https://doi.org/10.1134/S1027451008050194
A. B. Lyskovich, V. D. Bondar, Ya. A. Pastyrskii, and M. M. Rudka, “Bulletin of the USSR academy of sciences,” Inorg. Mater. 26, 662 (1990).
I. I. Dyukova, T. A. Kuz’menko, V. Y. Komarov, T. S. Sukhikh, E. V. Vorontsova, and L. G. Lavrenova, Russ. J. Coord. Chem. 44, 755 (2018). https://doi.org/10.1134/S107032841812014X
M. Rudka, M. Orendáč, R. Tarasenko, M. Karkulovska, B. Seredyk, and N. Tovstyuk, Low Temp. Phys. 51, 43 (2025) [Fiz. Nyzk. Temp. 51, 47 (2025)]. https://doi.org/10.1063/10.0034643
F. O. Ivashchyshyn, V. M. Maksymych, T. D. Krushelnytska, O. V. Rybak, B. O. Seredyuk, and N. K. Tovstyuk, Low Temp. Phys. 47, 1065 (2021) [Fiz. Nyzk. Temp. 47, 1165 (2021)]. https://doi.org/10.1063/10.0007082
R. F. Fivaz, J. Phys. Chem. Solids 28, 839 (1967). https://doi.org/10.1016/0022-3697(67)90013-3
D. L. Dexter, Phys. Rev. 101, 48 (1956). https://doi.org/10.1103/PhysRev.101.48
M. Brodin and I. Blonskii, Exiton Processes in Layered Crystals (Naukova Dumka, Kyiv, 1986).
