Theoretical analysis of incomplete ionization on the electrical behavior of radial p-n junction structures

Анотація

Досліджено електричну поведінку радіальних p-n переходів на основі субмікронних структур кремнію (Si) і арсеніду галію (GaAs) з акцентом на наслідки неповної іонізації атомів при температурах нижче 800 К. Шляхом розв’язання рівняння Пуассона в циліндричній системі координат отримано розв’язки для радіальних структур з радіусом ядра R = 0,5 мкм. Отримано аналітичний розв’язок, який дає змогу визначити ймовірність іонізації атомів P(T) домішки в інтервалі 0–800 К, а також температурну зміну густини просторового заряду ρ(T).