Some aspects of the resistive-to-normal state transition caused by direct and microwave currents in superconducting thin films with phase slip lines
DOI:
https://doi.org/10.1063/10.0025294Ключові слова:
resistive state, phase slip line, low-temperature laser scanning microscopy, localized normal domainsАнотація
На основі аналізу вольт-амперних характеристик та візуалізації резистивного стану тонкоплівкових смужок олова за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії (НТЛСМ) досліджено процес руйнування надпровідності струмом та мікрохвильовим опроміненням з утворенням і просторовою перебудовою ліній проковзування фази параметра порядку та їх перетворення в дискретні локалізовані нормальні області. Розглянуто перспективи НТЛСМ з точки зору дослідження високочастотних властивостей надпровідних структур і просторових характеристик у докритичному стані для інструментальних застосувань.
Downloads
Опубліковано
2024-02-28
Як цитувати
(1)
Turutanov, O. G. .; Sivakov, A. G. .; Leha, A. A. .; Pokhila, A. S. .; Kolinko, A. E. .; Grajcar, M. . Some Aspects of the Resistive-to-Normal State Transition Caused by Direct and Microwave Currents in Superconducting Thin Films With Phase Slip Lines. Fiz. Nizk. Temp. 2024, 50, 315–324.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.