Entropy of electron gas in semiconductor nanowires

Автор(и)

  • G. Gulyamov Namangan Engineering Construction Institute, Namangan 160103, Uzbekistan
  • A. B. Davlatov Namangan State University, Namangan 716019, Uzbekistan
  • D. R. Urinboev Namangan Engineering Construction Institute, Namangan 160103, Uzbekistan

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0020600

Ключові слова:

nanowire, nonparabolic, energy levels, thermodynamic potentials, entropy, chemical potential

Анотація

Отримано термодинамічний потенціал та ентропію електронного газу напівпровідникового нанодроту. При обчисленні ентропії електронного газу з непараболічною дисперсією енергії використано метод Нельсона. Досліджено ентропію електронного газу зі значенням найменьшого хімічного потенціалу, який дорівнює або перевищує енергію довільного дискретного енергетичного рівня. Отримано аналітичний вираз для ентропії у випадку, коли хімічний потенціал електронного газу дорівнює енергії дискретного рівня. Знайдено температурні залежності ентропії електронного газу напівпровідникових нанодротів від ступеня непараболічності закону розсіювання енергії.

Downloads

Опубліковано

2023-07-26

Як цитувати

(1)
Gulyamov, G. .; Davlatov, A. B. .; Urinboev, D. R. . Entropy of Electron Gas in Semiconductor Nanowires. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 49, 1172–1177.

Номер

Том 49 № 9 (2023)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають