Superconducting NbN–Al hybrid technology for quantum devices
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0016481Ключові слова:
тонкі плівки нітриду ніобію, надпровідні пристрої, джозефсонівський перехід, осадження атомних шарівАнотація
Висока кінетична індуктивність тонких плівок нітриду ніобію NbN може бути використана для реалізації компактних індуктивностей на кристалі у кріоелектронних схемах. Вперше продемонстровано реалізацію гібридної надпровідної технології, що містить виготовлення стандартних алюмінієвих субмікронних джозефсонівських переходів та процес осадження атомного шару NbN. В якості прикладу виготовлено та охарактеризовано поодинокий та масивний Al джозефсонівські переходи разом з NbN-з’єднаннями. Основні параметри Al джозефсонівського переходу, а також надпровідні властивості NbN добре узгоджуються зі значеннями, отриманими за стандартним технологічним процесом виготовлення. Поєднання технологічних процесів отримання шарів NbN з Al джозефсонівським переходом надає можливість реалізувати нове покоління інноваційних надпровідних приладів різного призначення.
