Оптическое поглощение коллоидными квантовыми точками селенида кадмия в диэлектрической матрице

Автор(и)

  • С.И. Покутний Институт химии поверхности им. А.А.Чуйко НАНУ, ул. Генерала Наумова, 17, г. Киев, 03164, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.5012798

Ключові слова:

квантоворазмерные уровни электрона и дырки, поглощение света, квантовые точки.

Анотація

Показано, что механизм поглощения света коллоидными квантовыми точками селенида кадмия (со средними радиусами квантовых точек, соизмеримыми с боровским радиусом экситона в монокристалле селенида кадмия) обусловлен межзонным переходом электрона с квантоворазмерного уровня валентной зоны квантовой точки на квантоворазмерный уровень зоны проводимости квантовой точки.

Опубліковано

2017-10-19

Як цитувати

(1)
С.И. Покутний, Оптическое поглощение коллоидными квантовыми точками селенида кадмия в диэлектрической матрице, Low Temp. Phys. 43, (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 1797-1799, (2017)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5012798.

Номер

Розділ

Короткі повідомлення

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.