Магнитосопротивление композиционных углеродных сенсоров в сильных электрических полях в диапазоне температур жидкого гелия

Анотація

Исследовано влияние разогрева носителей тока импульсным электрическим полем на проводимость и магнитосопротивление композиционных углеродных резисторов (марки ТВО) в диапазоне температур жидкого гелия. Установлено, что разогрев носителей в полях до 60 В/см при Т = 4,2 К приводит к уменьшению магнитосопротивления примерно в 4 раза при сохранении достаточно высокой температурной зависимости сопротивления. В полях более 400 В/см в диапазоне 4–20 К сопротивление ТВО резистора перестает зависеть от температуры. Результаты объясняются в рамках модели прыжковой проводимости между хаотично сгруппированными углеродными нанозернами. Показана возможность уменьшения погрешности в измерении температуры ТВО резисторами в магнитном поле.