Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

Автор(и)

  • В.В. Вайнберг Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, 03028, Украина
  • Ю.Н. Гуденко Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, 03028, Украина
  • В.Н. Порошин Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, г. Киев, 03028, Украина
  • В.Н. Tулупенко Донбасская государственная машиностроительная академия ул. Шкадинова, 72, г. Краматорск, 84303, Украина
  • H.H. Cheng Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan, R.O.C
  • Z.P. Yang Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan, R.O.C
  • V. Mashanov Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan, R.O.C
  • K.Y. Wang Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan, R.O.C

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2746865

Ключові слова:

гетероструктура, квантовая яма, примесные состояния, энергия связи, радиус локализации.

Анотація

Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается.

Downloads

Опубліковано

2007-08-27

Як цитувати

(1)
В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, Tулупенко В.Н., H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, and K.Y. Wang, Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 1143-1146, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2746865.

Номер

Том 33 № 10 (2007)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають