Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента

Автор(и)

  • В.И. Окулов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • А.Т. Лончаков Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • Т.Е. Говоркова Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • К.А. Окулова Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • С.М. Подгорных Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • Л.Д. Паранчич Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина
  • С.Ю. Паранчич Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3573665

Ключові слова:

полупроводники, примеси переходных элементов, гибридизированные электронные состояния, электронная теплоемкость.

Анотація

В температурной зависимости электронной теплоемкости селенида ртути с примесями железа малой концентрации обнаружен аномальный немонотонный вклад, который объясняется проявлением гибридизированных электронных состояний на донорных примесях. Показано, что наблюдаемый эффект описывается теорией электронной теплоемкости, развитой на основе квантового ферми-жидкостного подхода с учетом локализации и межэлектронного взаимодействия. В результате выполненной количественной интерпретации экспериментальных зависимостей определены значения параметров гибридизированных состояний, согласующиеся с уже известными из других экспериментов. Кроме того, найден новый параметр, характеризующий взаимодействие электронов в гибридизированных состояниях.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2011-01-28

Як цитувати

(1)
Окулов, В.; Лончаков, А.; Говоркова, Т.; Окулова, К.; Подгорных, С.; Паранчич, Л.; Паранчич, С. Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента. Fiz. Nizk. Temp. 2011, 37, 281-288.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4