Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix

Электронные свойства низкоразмерных систем

Автор(и)

  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • С.В. Гудина Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • И.В. Карсканов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • Г.И. Харус Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
  • Н.Г. Шелушинина Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2409654

Ключові слова:

электрон-электронное взаимодействие, слабая локализация, зеемановское расщепление,

Анотація

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤ 2 Тл при фиксированных температурах 0,2K ≤ T ≤ 4,2 K. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы tj ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри F0s=-0,51, амплитуда фермижидкостного взаимодействия l= 0,40, фактор Ланде g = 12,0.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2007-02-05

Як цитувати

(1)
Арапов, Ю.; Гудина, С.; Карсканов, И.; Неверов, В.; Харус, Г.; Шелушинина, Н. Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix: Электронные свойства низкоразмерных систем. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 222-227.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2