Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла

Автор(и)

  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • И.В. Карсканов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Г.И. Харус Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Н.Г. Шелушинина Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • М.В. Якунин Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3064895

Ключові слова:

квантовые поправки к проводимости, слабая локализация, электрон-электронное взаимодействие, диффузионный и баллистический режимы.

Анотація

Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2008-12-05

Як цитувати

(1)
Арапов, Ю.; Карсканов, И.; Неверов, В.; Харус, Г.; Шелушинина, Н.; Якунин, М. Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла. Fiz. Nizk. Temp. 2008, 35, 44-58.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>