Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)

Анотація

Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены присутствием слабосвязанных слоев примесных атомов, планарных дефектов или микроскопическими размерами контактов. Малые размеры микроконтактов, от нескольких нанометров до 1000 нм, позволяют исследовать низкотемпературный транспорт тепла и перенос заряда в масштабах, меньших, чем характерные длины неупругого рассеяния. Проанализирован механизм транспорта фононов при наличии поверхности раздела, рассмотрены различные модели планарного дефекта. Изучены особенности интерфейсного фононного транспорта, при котором коэффициенты переноса определяются не процессами рассеяния в объеме массивного кристалла, а свойствами межкристаллической границы. Детально рассмотрена квантовая фононная теплопроводность точечных контактов.