Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины

Электpонные свойства металлов и сплавов

Автор(и)

  • Ю.Ф. Комник Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • И.Б. Беркутов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.В. Андриевский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1884436

Ключові слова:

PACS: 73.20.Fz, 72.15.Lh

Анотація

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния tso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов tj (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста tso при увеличении толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой щели (механизм Рашбы).

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2005-02-16

Як цитувати

(1)
Комник, Ю.; Беркутов, И.; Андриевский, В. Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 2005, 31, 429-435.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>