Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
Электpонные свойства металлов и сплавов
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2409638Ключові слова:
тонкие пленки, висмут, квантовые поправки к проводимости, время спин-орбитального взаимодействия.Анотація
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах (1,5-77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия tso, в результате чего меняется соотношение между tso, и времени фазовой релаксации tj. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов.
Downloads
Опубліковано
2006-11-23
Як цитувати
(1)
Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, and И.Б. Беркутов, Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле: Электpонные свойства металлов и сплавов, Low Temp. Phys. 33, (2006) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 105-114, (2006)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2409638.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.