Influence of external microwave radiation on transport characteristics of superconducting MoRe–Si(W)–MoRe junctions

Анотація

Специфічний відгук надпровідних пристроїв на електромагнітне випромінювання є основою різних застосувань, починаючи від стандарту напруги та закінчуючи одиночними фотонними детекторами. Одним із таких ефектів є стимуляція самої надпровідності мікрохвилями. Досліджено вплив зовнішнього мікрохвильового опромінення на східчастому відрізку вольт-амперної характеристики джозефсонівських переходів MoRe–Si(W)–MoRe, які виникають внаслідок ефекту фазового проковзування в досліджуваних зразках. На частотах вище порогового значення спостережено ефект стимуляції, який можна пояснити нерівноважним перерозподілом заповнених енергетичних рівнів в кластерах W. Обговорено основні завдання майбутніх досліджень.