Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions

Автор(и)

  • Sh. S. Ismailov Institute of Radiation Problems of Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan
  • J. I. Huseynov Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan
  • M. A. Musaev Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan
  • I. I. Abbasov Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan
  • V. A. Abdurakhmanova Institute of Physics of Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0002155

Ключові слова:

solid solutions, lattice thermal conductivity, thermal resistance, point defects, phonon-phonon scattering.

Анотація

Представлено результати експериментальних досліджень теплопровідності та густини твердих розчинів CexSn1–x Se в інтервалі температур 80–480 К. В припущенні пружного розсіювання носіїв заряду, параболічної зони та довільного виродження розраховано електронну й ґраткову складові теплопровідності. Проаналізовано характерні особливості теплопровідності цих кристалів, показано, що зі збільшенням вмісту церію та зростанням температури загальна (χtot) та ґраткова (χph) теплопровідності істотно зменшуються, при цьому густина незначно збільшується (при 300 К). Встановлено залежність теплопровідності від відсоткового вмісту церія. При тривалому відпалі загальна й ґраткова складові теплопровідності зростають. Встановлено, що перенесення тепла в CexSn1–x Se здійснюється переважно фононами.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-09-21

Як цитувати

(1)
Ismailov, S. S.; Huseynov, J. I.; Musaev, M. A.; Abbasov, I. I.; Abdurakhmanova, V. A. Effect of Doping Level and Compensation on Thermal Conductivity in CexSn1–xSe Solid Solutions. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 46, 1310-1317.

Номер

Том 46 № 11 (2020)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках