Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения

Автор(и)

  • А.Г. Моисеев Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • Я.С. Гринберг Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5049166

Ключові слова:

циклотронный резонанс, полупроводниковая пленка, однофотонное сверхизлучение.

Анотація

Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры элект-ромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, qe, me и индукции магнитного поля. Приведен расчет проводимости пленки.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2018-06-19

Як цитувати

(1)
Моисеев, А.; Гринберг, Я. Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 44, 1052-1057.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках