Пространственная характеризация краевого барьера в широких сверхпроводящих пленках

Автор(и)

  • А.Г. Сиваков Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • О.Г. Турутанов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Е. Колинько Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.С. Похила Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5024540

Ключові слова:

барьер Бина–Ливингстона, краевой барьер, широкие сверхпроводящие пленки, критический ток, низкотемпературная лазерная сканирующая микроскопия.

Анотація

Рассмотрен вопрос разрушения сверхпроводимости током в широких (с шириной, значительно большей глубины проникновения магнитного поля) сверхпроводящих тонких пленках в слабых магнитных полях. Особое внимание уделено роли краевого потенциального барьера (барьера Бина–Ливингстона) в формировании критического состояния и выявлению края, ответственного за это критическое состояние, при различных взаимных ориентациях внешнего перпендикулярного магнитного поля и транспортного тока. Визуализированы критическое и резистивное состояния пленки с помощью пространственно-разрешающего метода низкотемпературной лазерной сканирующей микроскопии (НТЛСМ), что позволило выявить области на краях пленки, определяющие критический ток. На основании этих наблюдений выработана простая методика исследования критического состояния пленки на каждом краю раздельно, а также оценки остаточных магнитных полей в криостате. Предлагаемая методика не требует применения сложной техники НТЛСМ, а лишь записи вольт-амперных характеристик пленки в слабом магнитном поле. Получаемая таким образом информация важна, в частности, для интерпретации экспериментов со сверхпроводящими пленочными однофотонными детекторами оптического излучения.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2018-01-23

Як цитувати

(1)
Сиваков, А.; Турутанов, О.; Колинько, А.; Похила, А. Пространственная характеризация краевого барьера в широких сверхпроводящих пленках. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 44, 298-307.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2