Возможность определения константы спин-орбитального взаимодействия методом сканирующей туннельной микроскопии

Анотація

В рамках модели неоднородного бесконечно тонкого туннельного магнитного барьера между двумя проводниками рассмотрено туннелирование электронов из квазидвумерных (поверхностных) состояний со спин-орбитальным взаимодействием в состояния объемного типа. Проанализировано влияние рассеяния квазидвумерных электронов на единичном магнитном дефекте на туннельный ток в такой системе. Получено аналитическое выражение для кондактанса точечного туннельного контакта, описывающее его осциллирующую зависимость от расстояния до дефекта. Показано, что анализ с помощью спин-поляризованной сканирующей туннельной микроскопии осцилляций локальной намагниченности вокруг дефекта позволяет определить константу спин-орбитального взаимодействия.