Возможность определения константы спин-орбитального взаимодействия методом сканирующей туннельной микроскопии

Автор(и)

  • Н.В. Хоткевич Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Н.Р. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • Ю.А. Колесниченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4948444%20

Ключові слова:

СТМ, спин-орбитальное взаимодействиe, двумерный электронный газ, магнитный дефект.

Анотація

В рамках модели неоднородного бесконечно тонкого туннельного магнитного барьера между двумя проводниками рассмотрено туннелирование электронов из квазидвумерных (поверхностных) состояний со спин-орбитальным взаимодействием в состояния объемного типа. Проанализировано влияние рассеяния квазидвумерных электронов на единичном магнитном дефекте на туннельный ток в такой системе. Получено аналитическое выражение для кондактанса точечного туннельного контакта, описывающее его осциллирующую зависимость от расстояния до дефекта. Показано, что анализ с помощью спин-поляризованной сканирующей туннельной микроскопии осцилляций локальной намагниченности вокруг дефекта позволяет определить константу спин-орбитального взаимодействия.

Downloads

Опубліковано

2016-02-18

Як цитувати

(1)
Н.В. Хоткевич, Н.Р. Вовк, and Ю.А. Колесниченко, Возможность определения константы спин-орбитального взаимодействия методом сканирующей туннельной микроскопии, Low Temp. Phys. 42, (2016) [Fiz. Nizk. Temp. 42, 387-397, (2016)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4948444 .

Номер

Том 42 № 4 (2016)

Розділ

Електронні властивості провідних систем

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>