Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения

Автор(и)

  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия
  • С.В. Гудина Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия
  • С.М. Подгорных Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия
  • А.П. Савельев Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия
  • М.В. Якунин Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, ГСП-170, 620137, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4916214%20

Ключові слова:

двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, инфракрасное освещение.

Анотація

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B,T) и холловское ρxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,05–100 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Для образцов до освещения обнаружено изменение характера температурной зависимости сопротивления в нулевом поле ρ(T) с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) на «металлический» (dρ/dT > 0). Показано, что температурная зависимость сопротивления задается температурной зависимостью подвижности μ(T), «диэлектрический» участок которой связан с квантовыми поправками к проводимости в диффузионном и баллистическом режимах, «металлический» — с рассеянием носителей на акустических и оптических фононах. На магнитополевой зависимости продольного магнитосопротивления ρxx(B,T) вблизи значения индукции, отвечающего равенству μB = 1, наблюдалось слабое изменение с температурой. Обнаружены также необычные температурные зависимости компонент проводимости σxx(B,T) и σxy(B,T) при μB = 1. На σxx(B,T) наблюдается температурно-независимая точка, а σxy(B,T) при μB = 1 сильно зависит от T. Установлено, что такая закономерность обусловлена характером температурной зависимости подвижности носителей заряда μ(T) как в диффузионном, так и в баллистическом режиме. После подсветки ИК излучением во всех образцах наблюдается положительная остаточная фотопроводимость, связанная с двукратным увеличением концентрации носителей заряда. Сопротивление в нулевом магнитном поле ρ(T) в таких образцах также испытывает переход от «диэлектрического» к «металлическому» типу проводимости при меньших значениях температуры, чем до подсветки. Показано, что особенности транспорта после освещения связаны с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2015-01-22

Як цитувати

(1)
Арапов, Ю.; Гудина, С.; Неверов, В.; Подгорных, С.; Савельев, А.; Якунин, М. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения. Fiz. Nizk. Temp. 2015, 41, 289-303.

Номер

Розділ

Низькотемпературна оптична спектроскопія

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3